MOSAID和NOVACHIPS宣布合作开发HLNAND固态硬盘控制器

　　Marketwire 2012年6月28日加拿大安大略省渥太华市消息/明通新闻专线/--

　　MOSAID Technologies公司和韩国NOVACHIPS公司今天宣布了一份合作开发协议，将为针对数据中心和其他内存密集型应用优化的固态硬盘(SSD)设计和生产HLNAND(TM)(HyperLink NAND)闪存控制器。

　　通过HLNAND闪存控制器，采用SATA3主机接口的HLSSD将可以支持高达8太比特(TB)的容量。这种HLNAND控制器计划于2013年中期推出。

　　MOSAID副总裁兼首席技术官Peter Gillingham表示：“这将是首款利用HLNAND技术优势、面向大容量企业应用的专用集成电路(ASIC)控制器。我们的目标是要为系统设计人员开发一款最具伸缩性和灵活性的HLNAND闪存控制器。”

　　NOVACHIPS首席执行官Daniel Kim表示：“HLNAND给固态硬盘开辟了一个新市场，该技术克服了硬盘(HDD)在使用寿命、功耗和容量上的局限性。开发HLNAND这项适用于新一代存储媒介的先进技术，我们感到非常兴奋。”

　　HLNAND闪存控制器采用多内核技术并将利用40纳米工艺技术生产，以实现高性能、低功耗的解决方案。太比特级固态硬盘控制器将HLNAND闪存的技术优势与NOVACHIPS领先的固态硬盘技术结合在一起，具备以下特色：

　　——附带硬件加速器的双内核;

　　——最高达8太比特的容量;

　　——支持NCQ的SATA 6Gb/s规格;

　　——持续的压缩和非压缩数据性能;

　　——端对端数据保护;

　　——采用AES-128/256 ECB/CBC/CTR/XTS的全盘加密;

　　——改善数据可靠性的增强的数据随机分布;

　　——改善低功耗和峰值功耗控制的智能电源管理。

　　MOSAID研发部副总裁Jin-Ki Kim表示：“随着固态硬盘市场的快速发展，闪存设备厂商和控制器厂商间的合作开发项目对把先进的产品迅速推向市场至关重要。NOVACHIPS因其在软硬件控制器开发方面的专业技术，是我们理想的合作伙伴。”

　　MOSAID不断证明其HLNAND技术卓越的可伸缩性。最近，MOSAID开始生产业界首个由16片NAND芯片堆迭组成一个高性能单通道的NAND闪存多芯片封装(MCP)样品。512Gb HLNAND (TM)多芯片封装将16片行业标准的32Gb NAND闪存芯片和2个HLNAND接口器件组合在一起，在一个单字节宽的HLNAND接口通道上实现了333MB/秒的输出。普通NAND闪存多芯片封装设计不能堆迭超过4片NAND芯片，否则性能便会降低，并且需要用两个以上的通道来实现类似的数据吞吐量。

　　MOSAID将在闪存峰会(Flash Memory Summit)上发表一篇论文并进行展示，本届闪存峰会将于2012年8月21日至23日在加利福尼亚州圣克拉拉举行。

　　关于HyperLink(HL)NAND闪存

　　HLNAND闪存是一种高性能解决方案，结合了MOSAID自己的HyperLink内存技术与行业标准的NAND闪存单元技术，提供了业内最先进的功能集，达到超过传统闪存10倍的持续I/O输入输出带宽。欲了解更多信息，请访问 www.hlnand.com  。

　　关于MOSAID

　　MOSAID Technologies公司是全球领先的知识产权管理公司之一。MOSAID专业从事半导体和通信领域专利知识产权的货币化以及半导体存储技术的开发。MOSAID的被许可方中有很多为全球最大的科技公司。MOSAID成立于1975年，在安大略省渥太华、德州普拉诺和卢森堡设有机构。2011年12月，通过Sterling Partners主导的一项交易，MOSAID被私有化。详情请询：www.mosaid.com  和 http://InvestorChannel.com  。

　　关于NOVACHIPS

　　由闪存半导体开发商共同创立的NOVACHIPS Inc.公司目前提供一款高端SATA 6Gbps接口SSD控制器和适用于SSD、USB、ECC的智权芯核。公司计划发布兼容SATA3、USB3和PCIe的下一代混合SSD控制器。NOVACHIPS的先进设计能力使闪存半导体领域获得了创新解决方案。欲了解更多信息，请访问：www.NOVACHIPS.com  。

　　Michael Salter

　　高级总监

　　投资者关系与企业传播部

　　MOSAID Technologies, Inc.

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